삼성전자, 고성능 10나노급 128Gb 낸드플래시 본격 양산

삼성전자가 이달부터 고성능 ‘10나노급(1나노:10억분의 1미터) 128Gb(기가비트) 낸드플래시 메모리’ 본격 양산에 돌입했다고 11일 밝혔다.

이번에 양산에 들어간 128Gb 낸드플래시는 10나노급 3bit MLC 설계를 기반으로 토글(Toggle) DDR 2.0의 고속 인터페이스를 적용한 업계 최고 수준의 고성능 제품으로 특히 10나노급 128Gb 3bit MLC는 20나노급 64Gb MLC 대비 2배 이상 생산성이 높다.

삼성전자는 지난 2010년 양산을 시작한 20나노급 64Gb 3bit MLC 낸드 플래시 제품을 2012년 9월에 출시된 SSD 840시리즈에 탑재해 250GB 이상 대용량 SSD 시장을 크게 확대시켰다.

또한 대용량 메모리 스토리지 시장에서 20나노급 64Gb MLC 낸드플래시 시장은 64Gb 3bit MLC 낸드플래시 시장으로 빠르게 전환되어 왔다.

삼성전자는 128Gb 3bit MLC 낸드플래시 양산을 통해 대용량 내장 스토리지와 SSD 시장을 본격적으로 확대하여 기존 64Gb MLC 낸드플래시 시장을 빠르게 전환시켜 나갈 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 “이번에 고성능 128Gb 낸드플래시를 본격 양산함으로써 대용량 스토리지 시장에서 제품 경쟁력을 더욱 강화시키게 되었다”며 “앞으로 차세대 메모리 제품을 적기에 출시해 고객 요구에 적극 대응해 나갈 것”이라고 밝혔다.

<용어설명>토글(Toggle) DDR 2.0: 일반 낸드제품 대비 속도를 배가한 초고속 낸드 규격